Численное исследование устойчивости конечно-разностных схем с весами при моделировании переходных процессов в диодных силовых полупроводниковых структурах
Ключевые слова:
моделирование
конечные разности
численные методы
полупроводниковые приборы
уравнение непрерывности
диффузия
дрейф
Аннотация
Представлены результаты исследований устойчивости конечно-разностных схем с весами, используемых при численном моделировании переходных процессов в диодных силовых полупроводниковых структурах в диффузионно-дрейфовом тепловом приближении с учетом паразитных и нагрузочных элементов. Показано, что при весе 0.5<ω<0.7 конечно-разностная схема для уравнений непрерывности в широком диапазоне значений шага по времени может быть неустойчивой с колебательным поведением решения.
Загрузки
Опубликован
2011-03-10
Выпуск
Раздел
Раздел 1. Вычислительные методы и приложения
Библиографические ссылки
- Самарский А.А. Теория разностных схем. М.: Наука, 1989.
- Самарский А.А., Гулин А.В. Численные методы. М.: Наука, 1989.
- Амосов А.А., Дубинский Ю.А., Копченова Н.В. Вычислительные методы для инженеров. М.: Высшая школа, 1994.
- Бубенников А.Н. Моделирование интегральных микротехнологий, приборов и схем. М.: Высшая школа, 1989.
- Мулярчик С.Г. Численное моделирование микроэлектронных структур. Минск: Университетское, 1989.
- Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Золотухина О.А. Численная модель расчета переходных процессов в структурах с барьером Шоттки на основе карбида кремния // Вестн. Воронежского гос. техн. ун-та. 2007. N 8. 67-70.
- Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. М.: Радио и связь, 1991.
- Мещеряков С.А., Прокопьев А.И., Прокопьева О.А. Моделирование зарядопереноса в структурах с барьером Шоттки на основе карбида кремния // Вестн. Воронежского гос. техн. ун-та. 2006. N 11. 69-71.
- Prokopyev A.I., Mesheryakov S.A. Static characteristics of high-barrier Schottky diode under high level injection // Solid-St. Electron. 1999. 43, N 9. 1747-1753.
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. М.: Мир, 1984.
- Программа численного моделирования статических, динамических и частотных характеристик полупроводниковых диодов Шоттки «Барьер-1D». Свидетельство гос. регистрации 2010614839.
