Особый режим легирования наноколонн подложки кремния

Авторы

  • Г.А. Тарнавский

Ключевые слова:

математическое моделирование
легирование кремния
имплантация
донорные и акцепторные примеси

Аннотация

Проводится компьютерное моделирование ионной имплантации примесей в наноколонны поверхности кремниевой пластины при направлении потока ионов, параллельном основанию пластины.

Новые вычислительные технологии

Загрузки

Опубликован

2010-06-22

Выпуск

Том 11 (2010): Выпуск 3.

Раздел

Раздел 1. Вычислительные методы и приложения

Автор

Г.А. Тарнавский

Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (ИВМиМГ СО РАН)
просп. Лаврентьева, 6, 630090, Новосибирск
• ведущий научный сотрудник

Библиографические ссылки

  1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 1. 180-196.
  2. Тарнавский Г.А. Математическое моделирование процессов имплантации в кремний легирующих донорных и акцепторных примесей // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 2. 177-184.
  3. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Тарнавский А.Г. Современные информационные технологии в наноэлектронике: прямое компьютерное моделирование процессов производственного цикла создания новых полупроводниковых материалов // Инфосфера. 2007. № 35. 48-50.
  4. Тарнавский Г.А., Алиев А.В., Анищик В.С., Тарнавский А.Г., Жибинов С.Б., Чесноков С.С. Информационные технологии и проблемы создания Центра компьютерного моделирования в Интернете // Информационные технологии. 2009. № 8. 68-73.
  5. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Компьютерное проектирование наноэлектронных устройств // Электроника: наука, технология, бизнес. 2009. № 8. 94-98.