Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов

Авторы

  • Г.А. Тарнавский
  • В.С. Анищик

Ключевые слова:

наноэлектроника
полупроводниковые материалы
компьютерное проектирование
решатели процессорной системы
система подготовки заданий

Аннотация

Приводится общее описание программного комплекса NanoMod, предназначенного для компьютерного проектирования полупроводниковых наноматериалов для микроэлектроники. Рассматриваются функциональное назначение инструментария, алгоритмика решателей процессорной системы и способы работы с системой подготовки заданий. Приводятся сценарии заданий и результаты проектирования некоторых наноструктур — элементов интегральных схем. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 08-07-12001-офи).

Новые вычислительные технологии

Загрузки

Опубликован

2009-02-24

Выпуск

Том 10 (2009): Выпуск 1.

Раздел

Раздел 2. Программирование

Авторы

Г.А. Тарнавский

Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (ИВМиМГ СО РАН)
просп. Лаврентьева, 6, 630090, Новосибирск
• ведущий научный сотрудник

В.С. Анищик

Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (ИВМиМГ СО РАН)
просп. Лаврентьева, 6, 630090, Новосибирск
• аспирант

Библиографические ссылки

  1. Асеев А.Л. Наноматериалы и нанотехнологии для современной полупроводниковой электроники // Российские нанотехнологии. 2006. № 1. 97-110.
  2. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Программные комплексы компьютерного проектирования микроэлектромеханических систем // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 11. 23-29.
  3. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Программный комплекс NanoMod для компьютерной поддержки научных исследований в наноэлектронике: система ввода данных и инициализации процессорных систем // Труды ИВМ и МГ СО РАН. Серия: информатика. 2008. 8. 5-12.
  4. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Анищик В.С., Tарнавский А.Г. Интернет-центр компьютерного моделирования в научных исследованиях и прикладном проектировании // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. СПб.: Изд-во СПб Политехнического университета. 2008. 13. 114-119.
  5. Тарнавский Г.А. Нанотехнологии в электронике: краткий обзор основных процессов производства современных микроэлектромеханических систем // Справочник. Инженерный журнал. 2008. № 11. 49-57.
  6. Runge H. Distribution of implanted ions under arbitrarily shaped mask // Phys. Stat. Sol., 1977. T. 39(a). 595-607.
  7. Deal B.E., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon // Appl. Phys. 1965. 36. 37-70.
  8. Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.С.,
  9. Обрехт М.С. Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 92-111.
  10. Grove A.S. et al. Redistribution of acceptor and donor impurities under oxidation of silicon // J. Appl. Phys. 1964. 35. 2695-2716.
  11. Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С. Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 16-30.
  12. Тарнавский Г.А. Ударные волны в газах с различными показателями адиабаты до и после фронта скачка // Вычислительные методы и программирование. 2002. 3, № 2. 222-236.
  13. Тарнавский Г.А., Алиев А.В. Особенности аэродинамики высокоскоростного полета: компьютерное моделирование гиперзвукового обтекания головной части объекта // Вычислительные методы и программирование. 2008. 9, № 2. 185-208.
  14. Тарнавский Г.А., Анищик В.С., Тарнавский А.Г. Влияние защитных масок при отжиге кремниевой пластины на формирование наноразмерных гетероструктур легирующих примесей фосфора // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 3. 57-65.
  15. Тарнавский Г.А., Жибинов С.Б., Алиев А.В., Анищик В.С., Тарнавский А.Г. Компьютерное моделирование технологических процессов травления и оксидирования кремния и формирования наноструктур легирующих примесей в подложке базового материала // Высокие технологии, фундаментальные и прикладные исследования, образование. СПб.: Изд-во СПб Политехнического университета. 2008. 13. 241-246.
  16. Tarnavsky G.A. Design of semiconductor materials for nanoelectronics. Technological process segment: annealing of wafer and formation of doping nanostructures // J. Engineering Physics and Thermophysics. 2008. 81, № 5. 994-1004.