Расчет потенциала в моделях кластерного роста
Авторы
-
А.В. Можаев
-
А.В. Проказников
Ключевые слова:
компьютерное моделирование
потенциальное поле
случайное блуждание
формирование кластеров
Аннотация
Исследуется задача расчета потенциала в трехмерных компьютерных моделях кластерного роста с изменяющейся границей потенциального поля. Сформулирована непрерывная краевая задача. Разработан эффективный алгоритм вычисления потенциала.
Раздел
Раздел 1. Вычислительные методы и приложения
Библиографические ссылки
- Гулд Х., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. М.: Мир, 1990.
- Федер E. Фракталы. М.: Мир, 1991.
- Пьетронеро Л., Тозатти Э. Фракталы в физике. М.: Мир, 1988.
- Nallet P., Chassaing E., Walls M.G., Hytch M.J. Interface characterization in electrodeposited Cu-Co multilayers // J. Appl. Phys. 1996. 79, N 9. 6884-6889.
- Aravamudhan S., Luongo K., Poddar P., Srikanth H., Bhatsali S. Porous silicon templates for electrodeposition of nanostructures // Appl. Physics A. 2007. 83. 773-780.
- Ландау Л.Д., Лифшиц. Е.М. Краткий курс теоретической физики. 1. М.: Наука, 1969.
- Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Закономерности образования пор различной морфологии // Микроэлектроника. 1998. 27, вып. 2. 107-113.
- Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972.
- Можаев А.В., Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Динамическая модель формирования трехмерных кластеров // Письма в Журн. технич. физики. 2008. 34, вып. 10. 53-60.
- Bisi O., Osicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based electronics // Surf. Sci. Reports. 2000. 38. 1-126.