Расчет потенциала в моделях кластерного роста

Авторы

  • А.В. Можаев
  • А.В. Проказников

Ключевые слова:

компьютерное моделирование
потенциальное поле
случайное блуждание
формирование кластеров

Аннотация

Исследуется задача расчета потенциала в трехмерных компьютерных моделях кластерного роста с изменяющейся границей потенциального поля. Сформулирована непрерывная краевая задача. Разработан эффективный алгоритм вычисления потенциала.


Загрузки

Опубликован

2008-12-25

Выпуск

Раздел

Раздел 1. Вычислительные методы и приложения

Авторы

А.В. Можаев

Ярославский государственный университет им П.Г. Демидова
ул. Советская, 14, 150003, Ярославль
• аспирант

А.В. Проказников

Физико-технологический институт имени К.А. Валиева РАН (ФТИАН РАН),
Ярославский Филиал
ул. Университетская, 21, 150007, Ярославль
• ведущий научный сотрудник


Библиографические ссылки

  1. Гулд Х., Тобочник Я. Компьютерное моделирование в физике. М.: Мир, 1990.
  2. Федер E. Фракталы. М.: Мир, 1991.
  3. Пьетронеро Л., Тозатти Э. Фракталы в физике. М.: Мир, 1988.
  4. Nallet P., Chassaing E., Walls M.G., Hytch M.J. Interface characterization in electrodeposited Cu-Co multilayers // J. Appl. Phys. 1996. 79, N 9. 6884-6889.
  5. Aravamudhan S., Luongo K., Poddar P., Srikanth H., Bhatsali S. Porous silicon templates for electrodeposition of nanostructures // Appl. Physics A. 2007. 83. 773-780.
  6. Ландау Л.Д., Лифшиц. Е.М. Краткий курс теоретической физики. 1. М.: Наука, 1969.
  7. Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Закономерности образования пор различной морфологии // Микроэлектроника. 1998. 27, вып. 2. 107-113.
  8. Тихонов А.Н., Самарский А.А. Уравнения математической физики. М.: Наука, 1972.
  9. Можаев А.В., Бучин Э.Ю., Проказников А.В. Динамическая модель формирования трехмерных кластеров // Письма в Журн. технич. физики. 2008. 34, вып. 10. 53-60.
  10. Bisi O., Osicini S., Pavesi L. Porous silicon: a quantum sponge structure for silicon based electronics // Surf. Sci. Reports. 2000. 38. 1-126.