Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува
Ключевые слова:
численные методы
краевые задачи
сегрегационные эффекты
диффузия
процессы окисления
математическое моделирование
параллельные вычисления
Аннотация
Разработана идеология приближенного моделирования динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках, в которой на основе геометрического подхода проведено расширение 1-D метода Дила-Гроува на 2-D класс задач. Приводятся примеры расчетов роста подобласти двуокиси кремния SiO2 при его окислении в различных средах (O2 или H2O) и динамики границ SiO2/Si и SiO2/окислитель в широком диапазоне определяющих параметров и позиций нитридных масок, закрывающих часть поверхности кремния.
Загрузки
Опубликован
2001-06-27
Выпуск
Раздел
Раздел 1. Вычислительные методы и приложения
Библиографические ссылки
- Deal B.E., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon // J. Appl. Phys. 1965. 36. 3770.
- Razon R.R., Lie L.N., Deal B.E. Kinetics of high pressure oxidation on silicon in pirogenic steam // J. Electrochem. Soc. 1982. 120, N 1. 2828.
- Guillemot N., Pananakakis G., Chenevier P. A new analitical model of «Bird’s Beak» // IEEE Trans. Elec. Dev. 1987. T. ED-34, N 5. 1
- Chin D., Oh S.Y., Hu S.M., Dutton R.W., Moll J.L. Two-dimensional oxidation // IEEE Trans. Elec. Dev. 1983. T. ED-30, N 4. 744.
- Masetti G., Severi M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentration in arsenic-, phosphorus- and boron-doped silicon // IEEE Trans. Elec. Dev. 1983. T. ED-30, N 7. 764.
- Senez V., Ferreiza P., Baccus B. Two-dimensional simulation of local oxidation of silicon: calibrated viscoelastic flow analysis // IEEE Trans. Elec. Dev. 1996. 43, N 5. 720.
- Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С. Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 16-30 (электронный адрес журнала: http://num-meth.srcc.msu.su).
