Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

А.Л. Александров; Г.А. Тарнавский; С.И. Шпак; А.И. Гулидов; М.С. Обрехт

Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

Авторы

А.Л. Александров
Г.А. Тарнавский
С.И. Шпак
А.И. Гулидов
М.С. Обрехт

Ключевые слова:

численные методы

краевые задачи

сегрегационные эффекты

диффузия

процессы окисления

математическое моделирование

параллельные вычисления

Аннотация

Разработана идеология приближенного моделирования динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках, в которой на основе геометрического подхода проведено расширение 1-D метода Дила-Гроува на 2-D класс задач. Приводятся примеры расчетов роста подобласти двуокиси кремния SiO2 при его окислении в различных средах (O2 или H2O) и динамики границ SiO2/Si и SiO2/окислитель в широком диапазоне определяющих параметров и позиций нитридных масок, закрывающих часть поверхности кремния.

Загрузки

Опубликован

2001-06-27

Выпуск

Том 2 (2001): Выпуск 1.

Раздел

Раздел 1. Вычислительные методы и приложения

Авторы

А.Л. Александров

Институт теоретической и прикладной механики имени С.А. Христиановича СО РАН (ИТПМ СО РАН)
ул. Институтская, 4/1, 630090, Новосибирск

Г.А. Тарнавский

С.И. Шпак

А.И. Гулидов

М.С. Обрехт

Siborg Systems Inc.,
University of Waterloo

Библиографические ссылки

Deal B.E., Grove A.S. General relationship for the thermal oxidation of silicon // J. Appl. Phys. 1965. 36. 3770.
Razon R.R., Lie L.N., Deal B.E. Kinetics of high pressure oxidation on silicon in pirogenic steam // J. Electrochem. Soc. 1982. 120, N 1. 2828.
Guillemot N., Pananakakis G., Chenevier P. A new analitical model of «Bird’s Beak» // IEEE Trans. Elec. Dev. 1987. T. ED-34, N 5. 1
Chin D., Oh S.Y., Hu S.M., Dutton R.W., Moll J.L. Two-dimensional oxidation // IEEE Trans. Elec. Dev. 1983. T. ED-30, N 4. 744.
Masetti G., Severi M., Solmi S. Modeling of carrier mobility against carrier concentration in arsenic-, phosphorus- and boron-doped silicon // IEEE Trans. Elec. Dev. 1983. T. ED-30, N 7. 764.
Senez V., Ferreiza P., Baccus B. Two-dimensional simulation of local oxidation of silicon: calibrated viscoelastic flow analysis // IEEE Trans. Elec. Dev. 1996. 43, N 5. 720.
Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Обрехт М.С. Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках // Вычислительные методы и программирование. 2001. 2, № 1. 16-30 (электронный адрес журнала: http://num-meth.srcc.msu.su).

Цитировать как

Камуш Сумайя, Гибби Хамза, Гият Мурад , Курулай Мухаммед Метод проекции Канторовича в приближении обобщенного квадратичного спектра // Вычислительные методы и программирование. 2022. 23, № 3. 240–247. doi 10.26089/NumMet.v23r315.

TEX CODE:

{\it Камуш~Сумайя, Гибби~Хамза, Гият~Мурад~, Курулай~Мухаммед}
Метод проекции Канторовича в приближении обобщенного квадратичного спектра~//
Вычислительные методы и программирование. 2022.
\textbf{23}, \No~3. 240--247.
doi~10.26089/NumMet.v23r315.

Kamouche S. , Guebbai H. , Ghiat M.  et al.,  (2022) “The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation,” Numerical Methods and Programming, vol. 23, no. 3, pp. 240–247. https://doi.org/10.26089/NumMet.v23r315

TEX CODE:

Kamouche~S.~, Guebbai~H.~, Ghiat~M.~ et~al., (2022)
``The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation,''
{\it Numerical Methods and Programming}, vol.~23, no.~3, pp.~240--247.
https://doi.org/10.26089/NumMet.v23r315

S.  Kamouche, H.  Guebbai, M.  Ghiat et al.,  “The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation,” Numerical Methods and Programming 23, no. 3 (2022): 240–247, https://doi.org/10.26089/NumMet.v23r315

TEX CODE:

S.~ Kamouche, H.~ Guebbai, M.~ Ghiat~et~al.,
``The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation,''
{\it Numerical Methods and Programming}, no.~3 (2022): 240--247,
https://doi.org/10.26089/NumMet.v23r315

Kamouche S. , Guebbai H. , Ghiat M.  et al. The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation. Numerical Methods and Programming. 2022;23(3):240–247.. DOI:10.26089/NumMet.v23r315

TEX CODE:

Kamouche~S.~, Guebbai~H.~, Ghiat~M.~ et~al.
The Kantorovich projection method in the generalized quadratic spectrum approximation.
Numerical Methods and Programming. 2022;23(3):240--247..
DOI:10.26089/NumMet.v23r315

Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

Авторы

Ключевые слова:

Аннотация

Загрузки

Опубликован

Выпуск

Раздел

Авторы

А.Л. Александров

Г.А. Тарнавский

С.И. Шпак

А.И. Гулидов

М.С. Обрехт

Библиографические ссылки

Рекомендованные статьи

Язык

Информация

Отправить статью