Численное моделирование и компьютерный алгоритм процесса сегрегации легирующих примесей на границе волны окисления в полупроводниковых подложках

Авторы

  • Г.А. Тарнавский
  • С.И. Шпак
  • М.С. Обрехт

Ключевые слова:

численные методы
краевые задачи
сегрегационные эффекты
легирующие примеси
математическое моделирование
параллельные вычисления

Аннотация

В работе рассматривается идеология приближенного моделирования сложного физико-химического процесса сегрегации легирующих примесей, имплантированных в базовый материал, при движении по нему волны окисления, а также реализующий эту идеологию компьютерный алгоритм. Приводятся примеры расчетов сегрегации бора, мышьяка, фосфора и сурьмы в кремнии на границе «кремний/двуокись кремния«.

Новые вычислительные технологии

Загрузки

Опубликован

2001-03-11

Выпуск

Том 2 (2001): Выпуск 1.

Раздел

Раздел 1. Вычислительные методы и приложения

Авторы

Г.А. Тарнавский

Институт теоретической и прикладной механики имени С.А. Христиановича СО РАН (ИТПМ СО РАН)
ул. Институтская, 4/1, 630090, Новосибирск

С.И. Шпак

Институт теоретической и прикладной механики имени С.А. Христиановича СО РАН (ИТПМ СО РАН)
ул. Институтская, 4/1, 630090, Новосибирск

М.С. Обрехт

Siborg Systems Inc.,
University of Waterloo

Библиографические ссылки

  1. Ландау Л. Д., Лифшиц Е. М. Теоретическая физика. 3. Квантовая механика. М: Физматгиз, 1963.
  2. Ho C. P., Plumber J. D. Si/SiO2 interface oxidation kinetics: a physical model for the influence of high substrate doping levels. I. Theory // J. Electrochem. Soc. 1979. 126, N 9. 1516-1522.
  3. Ho C. P., Plumber J. D. Si/SiO2 interface oxidation kinetics: a physical model for the influence of high substrate doping levels. II. Comparison with experiment and discussion // J. Electrochem. Soc. 1979. 126, N 9. 1523-1530.
  4. Ho C. P., Plumber J. D., Meindl J. D. Thermal oxidation of heavily phosphorus-doped silicon // J. Electrochem. Soc. 1978. 125, N 4. 665-671.
  5. Chin D., Oh S. Y., Hu S. M., Dutton R. W., Moll J. L. Two-dimensional oxidation //IEEE Trans. Elec. Dev. 1983. ED-30, N 7. 744-749.
  6. Rafferty C. S. Stress Effects in Silicon Oxidation. Simulation and Experiments. 1989. Ph.D Theses. Stanford University, Stanford, California.
  7. Кольдяев В. И., Мороз В. А., Назаров С. А. Двумерное моделирование легирования и окисления кремния // Автометрия. 1988. № 3. 46-54.
  8. Тарнавский Г. А., Шпак С. И. Проблемы численного моделирования сверхзвукового ламинарно-турбулентного обтекания тел конечного размера // Матем. моделирование. 1998. 10, № 6. 53-74.
  9. Тарнавский Г. А., Шпак С. И. Декомпозиция методов и распараллеливание алгоритмов решения задач аэродинамики: вычислительная система «Поток-3» // Программирование. 2000. № 6. 45-57.
  10. Годунов С. К. Воспоминания о разностных схемах. Новосибирск: Научная книга, 1997.