Математическое моделирование процессов имплантации в кремний легирующих донорных и акцепторных примесей

Авторы

  • Г.А. Тарнавский

Ключевые слова:

математическое моделирование
легирование кремния
имплантация
донорные и акцепторные примеси

Аннотация

Проводится краткое описание вычислительного метода математического моделирования одного из основных технологических процессов производства наноструктурированных полупроводниковых материалов. Приводятся результаты расчетов при вариации определяющих параметров. Обсуждаются некоторые проблемы математического моделирования при уменьшении размеров наноэлектромеханических систем. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (код проекта 08–07–12001–офи).

Новые вычислительные технологии

Загрузки

Опубликован

2009-09-30

Выпуск

Том 10 (2009): Выпуск 3.

Раздел

Раздел 1. Вычислительные методы и приложения

Автор

Г.А. Тарнавский

Институт вычислительной математики и математической геофизики СО РАН (ИВМиМГ СО РАН)
просп. Лаврентьева, 6, 630090, Новосибирск
• ведущий научный сотрудник

Библиографические ссылки

  1. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Инструментарий NanoMod компьютерной поддержки проектирования наноструктурированных полупроводниковых материалов // Вычислительные методы и программирование. 2009. 10, № 1. 180-186.
  2. Тарнавский Г.А., Анищик В.С. Решатели процессорной системы программного комплекса NanoMod // Нано- и микросистемная техника. 2009. № 4. 6-13.
  3. Runge H. Distribution of implanted ions under arbitrarily shaped mask // Phys. Stat. Sol., 1977. 39(a). 595-607.
  4. Furikawa S., Matsumura H., and Ishiwara H. Theoretical consideration on lateral spread of implanted ions // Jap. J. Appl. Phys. 1972. 11, N 2. 134-142.
  5. Monfray S., Skotnicki T., Tavel B., Morand Y., Descombes S., Talbot A., Dutarte D., Leverd F., Le Friec Y., Palla R., Pantel R., Haond M., Nier M.-E., Vizioz C., Louis D. Highly-perfomant 38 nm SON (Silicon-On-Nothing) P-MOSFETs with 9 nm-thick channels // IEEE SOI Conference Proc. 2002. 22-25.
  6. Адамов Д.Ю., Матвеенко О.С. Усовершенствование структур МОП-транзисторов в нанометровых технологиях // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 2. 53-63.
  7. Мустафаев Ар.Г., Мустафаев Аб.Г. Проблемы масштабирования затворного диэлектрика для МОП-технологий // Нано- и микросистемная техника. 2008. № 4. 17-22.